Synopsys全新DesignWare中等容量NVM IP降低芯片成本

  可重复编程的DesignWare中等容量非易失性存储器（NVM）IP提供与闪存相同的功能，无需额外的光罩或工艺步骤，从而将芯片成本降低多达25%

  提供最高64Kbyte容量的嵌入式存储器；与小容量NVM方案比密度提高5倍

  使微控制器可以在180nm 5V或BCD工艺上集成NVM，而通常这些工艺上没有闪存提供

  为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权（IP）及服务的全球领先供应商新思科技公司（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS）日前宣布：其全新DesignWare®中等容量非易失性存储器（NVM）IP产品开始供货。Medium Density NVM IP填补了小容量NVM和大容量闪存之间的空白，且无需额外的光罩或工艺步骤，从而使芯片成本降低多达25%。在把微控制器集成到面向智能传感器、电源管理和触摸屏控制器应用的模拟IC设计中时，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存储，消除了对外部EEPROM或闪存的需求。

  “今天，那些试图把微控制器嵌入到其IC中的开发者们被迫支付昂贵的晶圆费用以支持嵌入式闪存，或者使用分立的外部存储器，而这两种方式都是代价高昂的方案，”Semico Research Corp.高级市场分析师Richard Wawrzyniak说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP填补了小容量非易失性存储器和大容量嵌入式闪存之间的空白，对那些寻求在不增加额外成本而增加数千byte非易失性存储器的开发者而言，Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一个理想的选择。”

  DesignWare中等容量NVM IP产品为5V CMOS和BCD工艺技术带来了闪存功能。误码校正（ECC）功能提供了额外的系统可靠性，同时减少了集成工作量。与小容量NVM方案相比，这款NVM IP密度提升5 倍；同时还提供了40纳秒的读取时间，可提供快速的读取时间和实时计算。通过在Synopsys实验室内完成的验证，包括严格的性能测试、认证和可靠性测试，该NVM IP可支持-40℃~125℃的温度范围，数据可保存10年。

  “随着把微控制器集成到模拟IC之中而需要数量慢慢的变多的存储器，设计业者需要成本更低的存储器解决方案，同时不牺牲功能，”Synopsys IP和系统原型市场副总裁John Koeter说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP为设计业者提供比闪存成本更低的方案，同时提供了所有必需的功能，来帮他们以更小风险把NVM集成到系统级芯片（SoC）之中。”

  供货使用台积电（TSMC）180纳米5V CMOS和BCD工艺技术的DesignWare中等容量NVM IP现已对早期采用者供货。关键字：编辑：刘东丽 引用地址：Synopsys全新DesignWare中等容量NVM IP降低芯片成本

  日前，业界首款65nm多路输入输出串行闪存系列新产品由恒忆率先推向市场， Numonyx® Forté™ N25Q系列。Forté是恒忆专门为旗下串行产品线启用的新品牌，共有四大系列新产品，包括M25/45PE系列、M25PX系列、M25P系列以及N25Q系列。 根据iSuppli 2009年12月的统计资料显示，受益于电脑、机顶盒和通信设施的增长，串口闪存的出货量在2011年会得以爆发，达到800万美金左右，而64Mb及其以上容量的闪存普及率呈逐年增加趋势。 恒忆副总裁兼嵌入式事业部总经理 Glen Hawk 表示，“在扩大 Forté 产品线的过程中，我们在不断地用行动证明我们的承诺：专注于针对嵌入式

  Spansion计划把它专有的MirrorBit技术定位成DRAM的竞争者，开辟高配置手机、PDA和通讯手机市场。Spansion目前只供应NOR闪存，由于激烈竞争和价格压力，已经在10个季度中没有盈利。 Spansion的总裁兼首席执行官Bertrand Cambou在该公司的首次分析师吹风会上表示：“我们目前正在使用MirrorBit技术来设计与DRAM类似的器件。”他没有说该产品何时能够推向市场。 “人们说NOR的竞争者是NAND。这种说法是错误的。”他说，它的竞争者是DRAM。“我们有机会追赶DRAM。他把DRAM称为“一种脏内存(a kind of dirty memory)”，因为它采用电容器而且需要每毫秒刷新一次

  新茂国际科技(SyncMOS Technologies International, Inc.)近日推出一系列新产品—SM59R04/03/02A1、SM59R04A2、SM59R16/09/05A3与SM59R16/09/05A5微控制器，为新茂目前的8位微控制器产品线增加更多的产品选择。此系列控制器提供了多达8通道的10位ADC，可提供高达每秒50万次快速精准的 仿真信号转换 ，并具备高可靠度的 上电复位 与掉电检测机制，以及有独立内振的看门狗，高抗干扰性能，可以使系统稳定可靠度大幅度的提高，领先同级产品。内置RC振荡器1MHz~24MHz(SM59R16/09/05A5系列出厂时预校正至±2%@11.059MHz)，能提供芯片

  在业界率先支持MIPI D-PHY v1.2规范并将性能提升至2.5Gbps，同时降低了图像传感器和显示应用的成本。 美国加利福尼亚州山景城，2014年9月17日— 亮点： 与竞争性解决方案相比，DesignWare MIPI D-PHY将面积和功耗缩减了50%，可降低芯片成本并延长电池续航时间 符合MIPI D-PHY v1.2规范，可为高分辨率图像应用提供高达20 Gbps的聚合数据吞吐量 已经验证能够与Synopsys DesignWare MIPI CSI-2和MIPI DSI控制器实现互通，通过与MIPI DSI 验证IP（VIP）相结合，可提供一套完整的、经过验证的、低集成风险的解决方案 多种可配

  加利福尼亚州山景城，2012年9月 亮点： • 28纳米DesignWare IP的完整产品线包括USB、PCI Express、SATA、HDMI、DDR、MIPI的数模混合设计，以及数据转换器、音频编解码器、嵌入式存储器和逻辑库 • 可大范围的应用于4家领先的晶圆代工厂和10种独特的工艺，使设计师们可选择能够完全满足他们特殊设计需求的IP • 专为高稳健性SoC而设计，并经过极充分仿真和可靠性分析，以及对不同工艺、电压和温度进行了实速电子学特性分析 • 专为包括移动应用处理器、多媒体图形处理、联网及存储等一系列应用而进行了优化 全球领先的电子器件和系统模块设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司（Synopsys,

  6 月 8 日消息，SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布了重要的公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。 SK 海力士在公告中称，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司做产品验证。 SK 海力士强调：“公司以 238 层 NAND 闪存为基础，成功开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD（Client SSD）解决方案产品，并在 5 月已开始量产。公司在 176 层甚至在 238 层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这一些产品在下半年能起到改善公司业绩的牵引作用。” 据介绍，238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一

  据国外新闻媒体报道，10月20日，韩国三星电子公司在新闻发布会上表示，明年，该公司将占据全球内存市场的40%，三星电子还估计，微软公司的Vista操作系统将在未来三年内创造230亿美元的内存显存市场。 三星电子预测说，今年该公司DRAM内存出售的收益有望达到100亿美元，基本上保持了过去二十多年里每年24%的增幅。三星电子表示，逐渐攀升的电脑销量，以及单台电脑所耗用内存的增加，将会继续刺激全球内存市场的增长。三星估计，明年全球DRAM内存市场将增长17%，达到350亿美元。 三星电子的人说，明年，公司的DRAM芯片产量将会增长90%，远超于业内60%的水平。不过，三星电子公司没有给出明年公司内存收入的预期。三星电子负责内存销售和营

  英特尔公司日前预计指出，当前的闪存技术能维持到2010年，直到2010年才将出现对“通用存储器”的要求。这是英特尔闪存组战略规划经理Greg Komoto日前在英特尔开发商论坛(IDF)上所表示的。 Komoto称，英特尔依然认为双向通用存储器(OUM)，也称为相变存储器，是最有前景的非易失性存储器替代者，超越了另两类潜在替代者--磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)。 Komoto表示，OUM凭借其缩放路径、成本下降和位可改变的事实显示出最具前景。 英特尔自2000年以来与合作伙伴Ovonyx公司合作致力于OUM研发。意法半导体也在一段时间内授权了Ovonyx的技术。去年，日本的Elpida Mem

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